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TH58NYG3S0HBAI4

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術(shù)
FLASH - NAND(SLC)
存儲容量
8Gb (1G x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
63-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝
63-TFBGA(9x11)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,TH58NYG3S0HBAI4的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA
暫無價格
參考庫存:39398
存儲器
IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
暫無價格
參考庫存:39406
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:39414
存儲器
IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
暫無價格
參考庫存:39422
存儲器
IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA
暫無價格
參考庫存:39430
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