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DS1230AB-70IND+

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包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
256Kb (32K x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
70ns
訪問時間
70ns
電壓 - 電源
4.75V ~ 5.25V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應商器件封裝
28-EDIP
商品其它信息
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IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
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