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DS1265W-100IND+

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存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術(shù)
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
8Mb (1M x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
100ns
訪問時間
100ns
電壓 - 電源
3V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
36-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商器件封裝
36-EDIP
商品其它信息
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