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FET,MOSFET - 單個
SI2369DS-T1-GE3參考圖片

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SI2369DS-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
7.6A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
29 毫歐 @ 5.4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
36nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1295pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-236
封裝/外殼
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SI2369DS-T1-GE3的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
暫無價格
參考庫存:26635
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
暫無價格
參考庫存:26643
FET,MOSFET - 單個
GANFET N-CH 650V 20A PQFN
暫無價格
參考庫存:26651
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
暫無價格
參考庫存:26667
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
暫無價格
參考庫存:26675
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