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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個(gè)
SQ4153EY-T1_GE3參考圖片

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SQ4153EY-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchFET?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
25A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
8.32 毫歐 @ 14A, 4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
151nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
11000pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
7.1W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-SOIC
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,SQ4153EY-T1_GE3的國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國(guó)外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫(kù)存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:53686
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 40V 136A D2PAK
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:53694
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 30V 16A POWER33
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:53702
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:53710
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 30V 18A POWER56
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:53718
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