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硅電容器

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  • Murata Electronics
  • 最新
  • AUTOMOTIVE SI CAP 1NF , -55/+200
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
ATSC
零件狀態(tài)
有源
電容
1nF
容差
±15%
電壓 - 擊穿
30V
ESR(等效串聯(lián)電阻)
30V
ESL(等效串聯(lián)電感)
-
應用
高穩(wěn)定性,高溫,引線鍵合和嵌入式
特性
-
工作溫度
-55°C ~ 200°C
封裝/外殼
0202(0505 公制)
高度
0.012"(0.30mm)
大小/尺寸
0.025" 長 x 0.025" 寬(0.63mm x 0.63mm)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,935174730410-T3A的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
硅電容器
ULTRA LARGE BAND VERTICAL WIREBO
暫無價格
參考庫存:31928
硅電容器
CAP SILICON 470PF 15% 11V 0402
暫無價格
參考庫存:3211
硅電容器
CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0603
暫無價格
參考庫存:31946
硅電容器
CAP SILICON 333PF 20% SMD
暫無價格
參考庫存:31954
硅電容器
BROADBAND SILICON CAPACITOR 100N
暫無價格
參考庫存:31962
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