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存儲器
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AS6C2008A-55BIN

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 異步
存儲容量
2Mb (256K x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
55ns
訪問時間
55ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
36-TFBGA
供應商器件封裝
36-TFBGA(6x8)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,AS6C2008A-55BIN的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA
暫無價格
參考庫存:27068
存儲器
IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:5216
存儲器
IC EEPROM 128K SPI 20MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:27104
存儲器
IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:7400
存儲器
IC EEPROM 16K SPI 10MHZ 8MSOP
暫無價格
參考庫存:8707
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