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DS1230Y-200IND

  • Maxim Integrated
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  • IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
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參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術(shù)
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
256Kb (32K x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
200ns
訪問時間
200ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商器件封裝
28-EDIP
商品其它信息
優(yōu)勢價格,DS1230Y-200IND的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC EPROM 256K PARALLEL 28TSOP
暫無價格
參考庫存:29442
存儲器
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:29450
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NOR FLASH
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參考庫存:29458
存儲器
IC EPROM 1M PARALLEL 32PLCC
暫無價格
參考庫存:29466
存儲器
IC EEPROM 64K SPI 3MHZ 20TSSOP
暫無價格
參考庫存:29474
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