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FET,MOSFET - 單個
TPN1R603PL,L1Q參考圖片

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TPN1R603PL,L1Q

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
U-MOSIX-H
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
80A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.6 毫歐 @ 40A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 300μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
41nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3900pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
104W(Tc)
工作溫度
175°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-TSON Advance(3.3x3.3)
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
優(yōu)勢價格,TPN1R603PL,L1Q的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
暫無價格
參考庫存:31264
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
暫無價格
參考庫存:31272
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:31280
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
暫無價格
參考庫存:31288
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
暫無價格
參考庫存:31296
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