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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個
SI8808DB-T2-E1參考圖片

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SI8808DB-T2-E1

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
-
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
95 毫歐 @ 1A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
10nC @ 8V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
330pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
4-Microfoot
封裝/外殼
4-UFBGA
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SI8808DB-T2-E1的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
暫無價格
參考庫存:13926
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
暫無價格
參考庫存:13928
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V
暫無價格
參考庫存:16430
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
暫無價格
參考庫存:26432
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:11319
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