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FET,MOSFET - 單個
IXFN100N10S3參考圖片

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IXFN100N10S3

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
15 毫歐 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
180nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
4500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
360W(Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SOT-227B
封裝/外殼
SOT-227-4,miniBLOC
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IXFN100N10S3的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:43639
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
暫無價格
參考庫存:4020
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
暫無價格
參考庫存:43649
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
暫無價格
參考庫存:41720
FET,MOSFET - 單個
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
暫無價格
參考庫存:5162
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