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FET,MOSFET - 單個
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IPB100N10S305ATMA1

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數(shù)據手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態(tài)
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
4.8 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 240μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
176nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
11570pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IPB100N10S305ATMA1的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:45765
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3
暫無價格
參考庫存:45773
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
暫無價格
參考庫存:45781
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH TO252
暫無價格
參考庫存:45797
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
暫無價格
參考庫存:45805
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